华虹nec推出高压400v mosfet制程-和记娱乐网页

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华虹nec推出高压400v mosfet制程
发布时间: 2009-10-09 08:00  来源: 本站编辑

  上海华虹nec电子有限公司近日宣布完成金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)400v高压工艺的研发,成功进入高压mosfet代工市场。

  华虹nec将trench结构应用在高压 400v mosfet工艺中。与传统的平面结构vdmos相比,该工艺可有效降低产品的导通电阻,功耗低、效率高。该工艺可以应用于荧光灯、台式机、笔记本电脑、液晶电视、显示器等的交直流电源和适配器上。为更好地满足市场和客户需求, 下一步华虹nec还将继续推出500v~800v的mosfet产品工艺。

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