华虹nec "十一五"电子发展基金项目成果丰硕-和记娱乐网页

　　国家“十一五”电子发展基金成果展6月26日—28日在北京展览馆举行。华虹nec作为电子发展基金在集成电路制造领域的主要支持单位，全程参与此次展会。中共中央政治局委员、国务院副总理张德江，全国政协原副主席胡启立分别莅临华虹nec展台参观指导。

　　展览期间，华虹nec以实物、图片与文字相结合方式，展示了以公司五大特色工艺平台为核心的15个电子发展基金支持项目所取得的成果。

　　0.13微米嵌入式eflash工艺
0.13微米嵌入式flash工艺是国内第一，世界领先的嵌入式非挥发性存储器技术；依靠自主创新，摆脱对国外高端集成电路芯片依赖，成功量产了 智能卡、rfid、微控制器（mcu） u-key安全芯片和银行卡等产品。

　　超级结高压大功率mosfet器件工艺
项目成功开发600伏超级结mosfet器件工艺，该工艺采用目前国际上最先进的深沟槽填充技术实现电荷平衡，使国内的高性能高压超级结大功率mosfet器件工艺处于世界领先水平。

　　0.18微米嵌入式eeprom工艺
0.18微米嵌入式eeprom工艺具有低功耗、高擦写速度、高可靠性的特点；该工艺成功量产了世博门票团体票。该项目已申请19项国内发明专利，其中有4项专利已获国家专利授权，其余均已进入实审阶段。

　　深沟槽型大功率mos器件工艺
该项目完善了第四代深沟槽mos器件工艺；项目成功开发了屏蔽栅深沟槽功率mos工艺，器件性能达到同类产品的国际领先水平，良率达到95%以上，并实现批量生产。通过项目的实施，获得多项国家发明专利。