华虹nec参加iccad 2011-和记娱乐网页

　　2011中国半导体行业协会集成电路设计分会年会暨中国集成电路设计产业十年成就展（iccad 2011）于2011年11月17日至18日在西安隆重举行。上海华虹nec电子有限公司携其特色工艺平台及其最新研发成果精彩亮相iccad 2011。

　　华虹nec展出了嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、射频和功率器件等特色工艺平台的最新技术成果和和记娱乐怡情博娱的解决方案，吸引了众多业界专业人士前来咨询交流。中国半导体行业协会集成电路设计分会王芹生理事长、魏少军常务副理事长、工业和信息化部电子信息司王勃华副巡视员、关白玉副巡视员等领导亲临华虹nec展台参观指导，对公司在特色工艺领域取得的突出成就表示了充分的肯定与赞赏。华虹nec已掌握拥有自主知识产权的深沟槽型大功率mos器件工艺和超级结高压大功率mosfet器件工艺，正在进行igbt技术攻关，将助力早日实现轨道交通、高铁列车以及电动汽车等领域的核心功率器件的国产化。