华虹宏力携最新技术成果亮相ic china 2015-和记娱乐网页

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华虹宏力携最新技术成果亮相ic china 2015
发布时间: 2015-11-12 08:00  来源: 本站编辑

       2015年11月11日,“第十三届中国国际半导体博览会暨高峰论坛”(ic china 2015)在上海新国际博览中心开幕。上海华虹宏力半导体制造有限公司(以下简称“华虹宏力”)携最新技术成果亮相本届展会。

  华虹宏力始终致力于研发差异化先进技术。这些技术广泛应用于多个领域,包括消费类电子产品、通讯、计算机、工业及汽车等各种终端产品中。在本届展会上,华虹宏力展示了部分先进的特色工艺技术和最新研发成果。比如,适用于物联网及智能可穿戴设备的低功耗eflash及eeeprom工艺技术和射频工艺技术;适用于led照明、机器人和新能源汽车等热点应用的高效低耗超级结mosfet(super junction, sjnfet)和场截止型 (field stop, fs)igbt工艺技术;以及适合智能电表、手机及平板电脑pmu等热点应用的电源管理技术。这些先进的技术吸引了众多业内专业人士前来咨询交流。
在11月12日同期举办的“功率半导体器件及其可靠性技术”专题研讨会上,华虹宏力技术市场经理王辉应邀发表演讲。他以“特色工艺—助力功率半导体芯飞扬”为主题,介绍了功率半导体市场和应用趋势,及华虹宏力在此领域的先进的和记娱乐怡情博娱的解决方案。华虹宏力第二代sjnfet技术和新一代的600v~1200v fs igbt已实现量产,并计划于明年推出具备更先进性能的第三代sjnfet工艺平台,力争为日益增长的led照明、机器人和新能源汽车等热点应用提供更低功耗、更高效、更小尺寸的绿色芯制造平台。

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