华虹宏力第三代super junction技术研发取得阶段性成果-和记娱乐网页

　　上海华虹宏力半导体制造有限公司（“华虹宏力”）今天宣布，公司已完成第三代super junction（“超级结结构”）mosfet（“sjnfet”）工艺平台的第一阶段研发，取得了初步成果，并计划在2017年上半年逐步推向市场。

　　华虹宏力是全球领先的功率分立器件8英寸晶圆制造厂，在功率器件产品稳定量产上拥有逾10年的经验。公司于2010年突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题，推出了独特的、富有竞争力的沟槽型sjnfet工艺平台，令华虹宏力成为业界首家提供超级结工艺平台的晶圆制造公司。经过多年的深耕发展，公司在super junction技术领域积累了丰富的研发和生产经验，相继推出了第一代、第二代工艺平台，并紧跟业界超级结产品的发展，持续进行平台的创新升级。

　　华虹宏力最新研发的第三代sjnfet技术平台不仅保持了前几代工艺流程紧凑的特点，而且还开发出了沟槽栅的新型结构，相比前两代的平面栅结构，可以更有效地降低结电阻，且进一步缩小了元胞（“cell pitch”）面积。导通电阻与第二代工艺相比，更是下降了30%以上，以600v器件为例，单位面积导通电阻rsp实测值为1.2ohm.mm2，达到业界一流水平。第三代sjnfet工艺平台将为客户提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品和记娱乐怡情博娱的解决方案。

　　功率半导体是开关电源、马达驱动、led驱动、新能源汽车和智能电网等电源系统的核心器件，也是降低功耗、提高效率的关键。在人们对高效节能越来越重视的现今，绿色能源技术必将得到更广泛的应用，功率半导体的需求也将持续提升。super junction技术凭借更低的功耗，高度契合当前热门的大功率快充电源、led照明电源需求，其在传统的pc电源及云服务器电源也有优异的表现。