华虹集团参展cite 2018 “芯”技术引人瞩目-和记娱乐网页

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华虹集团参展cite 2018 “芯”技术引人瞩目
发布时间: 2018-04-09 13:22  来源: 本站编辑

(中国,上海—2018年4月9日)2018年4月9日-11日,以“智领新时代,慧享新生活”为主题的第六届中国电子信息博览会(cite 2018)在深圳会展中心举办。上海华虹(集团)有限公司(以下简称“华虹集团”)在本次博览会上集中展示了集团集成电路工艺技术的最新研发成果及和记娱乐怡情博娱的解决方案,并喜获cite 2018年度两项金奖。

  展会首日,工信部电子信息司刁石京司长莅临华虹集团展位考察指导,详细询问了解了华虹集团28纳米以下先进工艺技术的研发进展和特色工艺的发展规划。

  此次参展 cite 2018,华虹集团携8英寸和12英寸两个芯片制造平台,包括先进逻辑工艺和以嵌入式存储器、功率器件为代表的大批先进特色工艺,以及模拟及电源管理、射频和图像传感器等差异化工艺悉数亮相,工艺技术覆盖1.0微米至90纳米和55纳米至28纳米节点,全面展示了华虹集团在当下热点应用,如5g通讯、金融ic卡、物联网、绿色能源、汽车电子等领域的布局,展现了华虹集团在国内高端集成电路芯片制造领域的领军地位。

  在最为引人瞩目的cite 2018金奖颁奖环节中,集团旗下华虹宏力和华力再次不负众望,拿下了两个“2018 cite创新产品与应用金奖”。华虹宏力的90纳米低功耗嵌入式闪存工艺和华力的55纳米sonos嵌入式闪存工艺分别在众多参选项目的评比中脱颖而出,受到业界专家的一致认可。

  华虹宏力的90纳米低功耗嵌入式闪存工艺平台,是国内最先进的8英寸晶圆嵌入式存储器技术,可制作目前全球8英寸晶圆代工厂中最小尺寸的嵌入式闪存单元,以高性能、高可靠性及高集成度实现了高端智能卡芯片的国产化。该90纳米嵌入式平台可与标准逻辑工艺完全兼容,采用低阈值电压的5v器件,为客户的电路设计提供了便利。与0.11微米嵌入式闪存工艺相比,该90纳米嵌入式平台的门密度与嵌入式存储器ip性能均提升30%以上,功耗降低超30%,且总成本优势明显,可为电信卡芯片、智能卡芯片、安全芯片产品以及微控制器(mcu)等产品提供理想的芯片制造技术和记娱乐怡情博娱的解决方案。此外,该平台具有高度自有知识产权,已累计获得国内发明专利授权多达70件,美国专利授权20件。

  另外,此次华力获得“2018 cite创新产品与应用金奖”的55纳米sonos嵌入式闪存工艺各项技术指标和产品市场应用已经达到国际先进水平,于2016年完成技术开发并开始风险量产,迄今已经实现多家客户、多颗产品的验证和量产,产品涵盖了低功耗物联网存储芯片、触控芯片、高速mcu、嵌入式fpga、智能卡芯片、安全芯片等。该技术平台为众多国内ic设计公司在集成电路领域的创新、突破提供了极具竞争力的基础工艺和制造平台,其数据保持能力的高可靠性、产品高良率以及相对来说的成本优势保证了国内ic设计公司的产品市场优势和突破国际垄断的可能。此外,基于该平台成功量产了高端电信卡、安全芯片、金融支付芯片等也在进一步开发中,将为国家的信息和金融安全添砖加瓦。

  新时代开启新发展,华虹集团将不忘初心,砥砺前行,为国家发展自主可控集成电路事业贡献中坚力量。
  欢迎大家莅临华虹集团展台1b040,共同探讨“芯”技术,开启“芯”征程。

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